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ACCORDI
Danfoss e GE collaborano
per i moduli di potenza SiC
La collaborazione transatlantica fra Danfoss e GE farà parte
del New York Power Electronics Manufacturing Consortium di
Utica, nel nord dello stato di New York (Usa). Questo consorzio
a partecipazione sia privata che pubblica, con altri programmi
analoghi, è stato varato nel 2014 dallo stato di New York con
un investimento complessivo di oltre 20 miliardi di dollari per la
creazione di posti di lavoro high-tech.
Entro l’inizio del 2018, Danfoss Silicon Power (DSP) avvierà a
Utica delle attività di packaging dei moduli di potenza SiC, cre-
ando nei prossimi anni, centinaia di posti di lavoro. GE fornirà i
chip in carburo di silicio (SiC ) per i moduli, che permetteranno
di creare dispositivi elettronici più piccoli, veloci ed efficaci e
si prevede porteranno una rapida evoluzione nelle tecnologie
dell’energia solare ed eolica, nonché nelle future generazioni di
automobili elettriche e ibride. Per esempio, possono ridurre del
10% il consumo di potenza nelle automobili elettriche e del 5%
l’energia consumata nei data center, così come possono dimi-
nuire di 500 chili il peso di un aeroplano. In futuro, i moduli di
potenza dovrebbero essere applicati anche in altri settori come
quello navale, offshore e ospedaliero.
Danfoss affitterà sia gli impianti sia le apparecchiature dallo
Stato di New York e occuperà l’intera struttura di Utica, che
comprende due camere bianche, laboratori, uffici e spazio
logistico. GE ha investito milioni di dollari nello sviluppo
dei chip SiC ultrasottili che saranno utilizzati nei moduli di
potenza Danfoss.
DSP, con sede a Flensburg, in Germania, fa parte del Gruppo
Danfoss ed è un produttore di riferimento di moduli di potenza,
che vengono utilizzati in un’ampia gamma di applicazioni nei
settori industriale, delle energie rinnovabili e automotive. L’a-
zienda ha già fornito oltre 25 milioni di moduli di potenza, prin-
cipalmente per le automobili europee.
L’impianto di Utica (New York, Usa) dove avranno luogo le attività
di packaging dei moduli di potenza basati su chip in carburo di silicio