Da Ibm la più veloce tecnologia di memoria dinamica on-chip

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Ibm ha presentato una tecnologia di memoria on-chip, prima nel suo genere, caratterizzata dai tempi di accesso più rapidi mai registrati nelle memorie eDram (Embedded Dynamic Random Access Memory).

Questa nuova tecnologia, progettata utilizzando il processo Silicon-on-Insulator (SOI) Ibm, per ottenere prestazioni elevate con bassi consumi, migliora enormemente la prestazione dei microprocessori nelle configurazioni multi-core e velocizza il movimento della grafica nei giochi, nel networking e in altre applicazioni multimediali ricche di immagini.

Si prevede che questa tecnologia rappresenterà una caratteristica chiave della roadmap dei microprocessori a 45 nm (nanometri) Ibm e sarà disponibile a partire dal 2008.

La nuova tecnologia eDram Ibm, progettata in SOI a 65 nm e basata su processi strained silicon e deep trench, migliora nettamente le prestazioni della memoria on-processor richiedendo solo un terzo dello spazio, con un quinto dell’alimentazione in standby della Sram (Static Random Access Memory) tradizionale.

Le innovazioni Ibm nella microelettronica e i pionieristici progetti system-on-a-chip dell’azienda hanno trasformato il mondo dei semiconduttori. Le innovazioni Ibm comprendono: High-K, che migliora le funzioni del transistor consentendone al contempo la riduzione oltre i limiti attuali, processori dual-core e multicore, l’uso di conduttori in rame sul chip, la creazione di transistor Soi (silicon-on-insulator) e di giunzioni miste silicio-germanio, lo strained silicon che permette di migliorare le proprietà del silicio come semiconduttore ed eFuse, una tecnologia che consente ai chip dei computer di rispondere automaticamente al variare delle condizioni. La Casa Bianca ha conferito a Ibm la National Medal of Technology, la più grande onorificenza tecnica nazionale, per 40 anni di innovazione nei semiconduttori.

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