Nuovi materiali “phase-change”, usati in una piccola cella, rendono più veloci le flash

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Questo progresso fa prevedere il futuro successo della memoria “phase-change”, che sembra essere molto piu rapida, può assumere dimensioni più piccole di una flash, e può rendere possibile la realizzazione di dispositivi di memoria “non volatiti” ad alta densità di futura generazione e congegni elettronici più potenti. Le memorie non volatili non hanno bisogno di energia elettrica per conservare le informazioni. Combinando la non volatilità con buone prestazioni e affidabilità, questa tecnologia “phase-change” potrà aprire la strada a una memoria universale per le applicazioni mobili.

Da un lavoro congiunto dei vari laboratori di ricerca Ibm negli Stati Uniti è stato progettato, costruito e realizzato un prototipo di memoria “phase-change” che commuta 500 volte più velocemente di una memoria flash, utilizzando meno della metà dell’energia per scrivere le informazioni in una cella. La sezione del dispositivo ha dimensioni minuscole, di 3 per 20 nanometri, molto più piccola delle flash che possono essere prodotte al giorno d’oggi, e ha dimensioni equivalenti ai chip industriali previsti per il 2015. Questo nuovo risultato mostra che, al contrario dei flash, la tecnologia di memoria “phase-change” può migliorare al diminuire delle dimensioni secondo la legge di Moore.

Il nuovo materiale è un semiconduttore formato da una lega complessa ed è il risultato di una ricerca approfondita condotta dal Centro di Ricerca IBM Almaden a San Jose, in California. È stata progettata con l’aiuto di simulazioni matematiche di uso specifico nelle celle di memoria “phase-change”.

I dettagli tecnici di questa ricerca saranno presentati questa settimana durante il Meeting internazionale di Dispositivi Elettronici 2006 dell’Istituti di Elettronica e Ingegneria Elettrica a San Francisco.

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