Ibm sta sviluppando una nuova generazione di chip

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Ibm ha annunciato di aver raggiunto un traguardo – inseguito da tempo – in tema di transistor, sviluppando un nuovo “gate” ovvero quel minuscolo interruttore on/off che serve da componente base praticamente di tutti i microchip costruiti attualmente.

Importante è il fatto che la tecnologia può essere incorporata nelle linee di produzione dei chip esistenti, con modifiche minime alle attrezzature e ai processi, rendendola così realizzabile anche dal punto di vista economico.

Si prevede che questo risultato avrà un impatto diffuso e porterà a miglioramenti nei sistemi elettronici di tutti i tipi, dai computer all’elettronica di consumo. Ibm ha inserito la tecnologia nella sua linea d’avanguardia per la produzione dei semiconduttori a East Fishkill, NY, e la applicherà ai prodotti a partire dal 2008.

La tecnologia, denominata “high-k metal gate”, sostituisce un nuovo materiale in una posizione critica del transistor, che controlla la sua funzione di commutazione on/off principale. Il materiale offre proprietà elettriche di livello superiore rispetto al predecessore, potenziando la funzione del transistor e consentendo inoltre di ridurne le dimensioni oltre i limiti raggiunti attualmente.

Importante quanto il nuovo materiale è il metodo per inserirlo nelle attuali tecniche di produzione. La creazione di questo componente del transistor con il nuovo materiale è stata realizzata dal team Ibm senza richiedere importanti modifiche di strumentazione o processi nella produzione, un elemento essenziale per garantire la realizzabilità economica della tecnologia.

Le fasi di lavoro che hanno condotto a questo risultato erano state pubblicate in precedenza da Ibm su riviste scientifiche e presentate in occasione di conferenze sulla tecnologia dei chip. Ibm prevede di pubblicare la sintesi di questo risultato finale in una sede analoga in futuro.

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