L’accordo prevede lo sviluppo della tecnologia di processo Cmos (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) a 32 e 22 nm, il supporto di progettazione e la ricerca avanzata adattata alla produzione dei wafer di silicio da 300 mm. Comprende inoltre la tecnologia di base “bulk CMOS” e le tecnologie derivate a valore aggiunto System-on-Chip (SoC), collocando entrambe le aziende all’avanguardia dello sviluppo tecnologico. Il nuovo accordo tra Ibm e ST comprenderà inoltre la collaborazione sullo sviluppo dell’Internet Protocol (IP) e su piattaforme per velocizzare la progettazione dei dispositivi system-on-chip in queste tecnologie.
Nell’ambito dell’accordo, ogni azienda costituirà un team di sviluppo tecnico presso la sede dell’altra. Per lo sviluppo delle tecnologie “bulk CMOS”, ST creerà un team di ricerca e sviluppo presso il Semiconductor Research and Development Center Ibm di East Fishkill e Albany, New York. Contemporaneamente, Ibm costituirà un team di ricerca e sviluppo presso l’impianto ST per lo sviluppo e la fabbricazione di wafer da 300 mm situato a Crolles, in Francia, dove le due aziende svilupperanno congiuntamente una serie di tecnologie derivate a valore aggiunto, quali memoria embedded e analogica/RF. Queste tecnologie trovano ampia applicazione nei mercati consumer e server e nelle applicazioni wireless, quali telefoni cellulari e dispositivi di posizionamento globale.
STMicroelectronics entrerà a far parte di una partnership di aziende operanti nel campo della produzione, sviluppo e tecnologia dei semiconduttori, che collaborano per affrontare insieme la complessità di progettazione e lo sviluppo di processi avanzati, necessari per produrre semiconduttori più piccoli, più veloci e più efficienti in termini di costi.
Le sei aziende che collaborano in questo progetto – la partnership è nota come Ibm Cmos technology alliance – beneficiano di un tempestivo accesso alla tecnologia e della possibilità di definirne le linee evolutive, avvalendosi di risorse di ricerca e sviluppo congiunte per la risoluzione dei problemi e sfruttando impiandi di produzione comuni.
Analogamente, Ibm e ST lavoreranno insieme per espandere il network che opera presso l’impianto di fabbricazione dei wafer da 300 mm di ST in Francia, per inserire altri membri della Cmos technology alliance Ibm interessati allo sviluppo di tecnologie SoC derivate a valore aggiunto.
Partecipando a ecosistemi aperti, che condividono le risorse tra i propri componenti, le aziende che aderiscono a queste alleanze riescono a innovare più velocemente e a ridurre i relativi costi, grazie alla messa in comune dei rispettivi punti di forza nell’area della ricerca e dello sviluppo e della proprietà intellettuale individuali. Man mano che le alleanze si espandono, i vantaggi delle relazioni collaborative aumentano in modo esponenziale, in quanto un maggior numero di associati applica un maggior numero di risorse alla sfida di progettare e produrre migliori semiconduttori, in modo più rapido ed economico.
I processi sviluppati insieme saranno posti in produzione su grande scala presso l’impianto di produzione dei wafer da 300 mm di ST (Crolles) nonché nelle strutture per i 300 mm dei produttori della Common Platform, che comprende anche Ibm.
In un’ottica di lungo termine, Ibm, CEA-LETI (Grenoble, Francia) e ST prevedono di collaborare su tematiche avanzate per il futuro della tecnologia, sfruttando la lunga tradizione di collaborazione di successo tra l’istituto di ricerca pubblico CEA-LETI e ST. I dati finanziari relativi all’accordo non sono stati divulgati.